Южнокорейская Dongbu HiTek, выпускающая полупроводниковые изделия по заказам других компаний, анонсировала новую разработку в области датчиков изображения. Теперь заказчикам доступна библиотека компонентов, включающая элементы датчика изображений, рассчитанного на изготовление при помощи 110-нм техпроцесса CMOS (CMOS image sensor, CIS).
Среди особенностей датчика, ориентированного на применение в мобильной технике, разработчик отмечает малые токи утечки и высокое разрешение – до 5 Мп.
Ранее, специалистами Dongbu HiTek была разработана 130-нм библиотека CIS. По словам компании, обе разработки выполнены своими силами.
Переход с норм 130 нм к нормам 110 нм, как утверждается, влечет за собой уменьшение площади, занимаемой датчиком на пластине, на величину до 30%. Таким образом, увеличивается количество датчиков, которое можно изготовить из одной пластины, а, следовательно, снижается их стоимость.
До передачи разработки в серийное производство осталось выполнить окончательную проверку надежности, которая завершится в ближайшие месяцы.
Кстати, по оценке аналитиков In-Stat, содержащейся в недавно опубликованном отчете «Image Sensors 2007: CMOS is Everywhere» («Датчики изображения в 2007 году: CMOS повсюду»), глобальный рынок датчиков изображения продемонстрировал в прошлом году устойчивый рост, в первую очередь, благодаря спросу на сотовые телефоны, оборудованные встроенными камерами. На долю этих продуктов приходится три четверти общего количества датчиков изображения, отгруженных заказчикам. Около 80% всех датчиков относится к категории CIS, оставшиеся – CCD, причем CIS проникают даже в области, где традиционно доминировали CCD-датчики: фото- и видеокамеры.